杂质如果被除尽，材料为了热力学上的稳定，会自发形成缺陷。一方面是熵，一方面是原子的自发移动。现实中的固体材料，绝大部分是多晶体，不是按照单一晶格排列的单晶，而是围绕多个晶核形成的多晶。我们从结晶的角度来看待缺陷 / 杂质的问题。

物质的形成，为什么总是喜欢带一点其他物质的杂质呢？我们用一种极限的思维来看，物质中即使没有其他物质的杂质，体系内在材料生长的时候，也倾向于自发形成结构性的杂质，并在这个所谓的“杂质”上继续生长。杂质的存在，减少了成核所需的表面能，在动力学上是物质生长所喜欢的，所以会从能量角度出发，物质倾向于带一些杂质，如果这个杂质是一些特定的物质，例如聚乙烯之于酒石酸，就是一个叫做辅生结晶的机理，在工业生产中，有专门的产品叫做成核剂（它本质是一种杂质），用于诱导特定的晶形。

没有“杂质（缺陷）”，晶体难以生长，物质难以形成。

就好比一个电路，我们把灯泡两侧连接一个电线，电子确实可以从灯泡中流过，但它更倾向于从短路的电线走过。同样的，晶体在生长的时候，理论上可以从无缺陷的位置生长，但实际上只会在有缺陷的位置形成。

我们以高分子薄膜的球晶生长为例，晶体的出现在特定的位置，即使我们将它们熔融，仍然可能在同样的位置首先结晶。这种所谓的成核位置，可能是一个杂质，也可能是结晶物质本身，但具有一定的链段取向，就好比，我们拉拉链的时候，会先把拉链排排好，就跟容易把拉链拉上去。即使是纯净物本身，也可能从构象的角度形成一个“杂质”。

所以，不是说物质里的杂质不能去除，而是因为有杂质，才形成了这个物质。那么，如果我们用重结晶方法提纯物质的时候，虽然可能去除大部分的杂质，但少部分的杂质维持着重结晶的进行，不能用这种方式去除。更为直白的，我们可以通过在高分子薄膜上剐蹭，故意制造缺陷的方式来促进结晶。

使用超高温，消除分子的所有构象，能否消除缺陷

也不能，高温的时候，这种所谓的缺陷还多一些，而且常见物体也不能一直保持高温。

有温度，原子就不会乖乖不动，而是会通过振动，尝试跳跃到临近的位置。原子本身有一个热震动频率，加热会增加这个频率

原子的运动，可能导致空出一些位置，热力学平衡状态下，这种缺陷的数量是温度的状态函数。

高温时，N 个原子中的缺陷数量为 n（适当数量缺陷的出现，使得混合熵增加）：

温度越高，缺陷越多，那么只要这个物质降温，热力学所要求的缺陷数量减少。材料因为淬冷，可能会将这些缺陷在内部保留下来，而形成一种高能状态，为了降低能量，物质就会自己想办法了。为了填补这些空穴，消除应力，材料可能发生一些畸变，就像是错位一样，我们一般称之为位错（dislocation）

晶体沿着突出的那个暴露的表面生长，一圈一圈的长上去（screw dislocation），类似于旋转的金字塔。^[1]而如果没有这种位错（或者认为这是个杂质吧），晶体的生长会变得非常慢，甚至会因为晶核涨落自发消失。

这个回答，一方面是，用重结晶的方法，为什么不能除去某些杂质。另一方面，从热力学角度解释，少量缺陷的存在在热力学上是有好处的。